美光日本廠跳電，預(yù)估受影響產(chǎn)能規(guī)模有限

美光（Micron）位于Hiroshima的日本廠于7月8日發(fā)生跳電意外。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，以第三季產(chǎn)能來看，該廠月產(chǎn)能占美光月產(chǎn)能約30%；若以全球產(chǎn)能來看，投片占比則約7%。主要投產(chǎn)制程為1Z nm，其投片比重為50%以上，其次為1Y nm，占比亦有接近35%。由于跳電發(fā)生時(shí)機(jī)臺(tái)亦同時(shí)啟動(dòng)不斷電系統(tǒng)，但因壓降的影響，機(jī)臺(tái)需要重啟與檢查，而跳電時(shí)間約5~10分鐘，故受影響的產(chǎn)能有限。

該廠主要是R&D的研發(fā)中心，下一代制程1beta nm亦將優(yōu)先于該廠內(nèi)投產(chǎn)。而觀察其產(chǎn)品類別，現(xiàn)階段以產(chǎn)出智能手機(jī)相關(guān)的mobile DRAM為主。TrendForce集邦咨詢同時(shí)表示，自年初起地緣沖突、高通脹導(dǎo)致全球消費(fèi)性電子需求疲弱，使得各原廠的存儲(chǔ)器庫(kù)存皆位于較高水位，且跳電對(duì)美光產(chǎn)能影響較低，美光亦能使用其庫(kù)存來滿足客戶端的需求，故對(duì)整體DRAM供需市場(chǎng)并無造成沖擊。

TrendForce集邦咨詢同步觀察到，向來對(duì)市況會(huì)有實(shí)時(shí)反應(yīng)的現(xiàn)貨市場(chǎng)，在跳電發(fā)生至今，并未有需求增加，或是發(fā)生客戶急單的市場(chǎng)反應(yīng)，價(jià)格端完全沒有發(fā)出止跌訊號(hào)，故預(yù)估此次跳電并不會(huì)扭轉(zhuǎn)存儲(chǔ)器供過于求的現(xiàn)況。TrendForce集邦咨詢將維持原來對(duì)下半年的價(jià)格預(yù)估，意即第三季DRAM價(jià)格將季跌約10%。