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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案

2021/09/23
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本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準(zhǔn)諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動器,模擬調(diào)光范圍寬,從1%到100%。

安森美專有的LED電流計算技術(shù)和內(nèi)部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移,在整個模擬調(diào)光范圍內(nèi)進行精確的穩(wěn)流,穩(wěn)流精度在滿載時<±2%,在1%的負載時<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負載情況在CCM (NCL35076)或QR (NCL30076)和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 間切換,從而確保低的LED電流紋波,以提供更高能效,如重載時工作在CCM (NCL35076)或QR (NCL30076),輕載時工作在DCM。待機模式下待機功耗低。還提供PWM調(diào)光以保持恒定的LED色溫。NCL3X076軟啟動功能實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)啟動而無過沖。VDD過壓保護 (OVP)、LED短路保護 (SLP)、過流保護、熱關(guān)斷保護 (TSD)等各種保護特性確保高的系統(tǒng)可靠性。其中,NCL35076 CCM 75 W方案具有小外形的優(yōu)勢。而NCL30076 QR 100 W方案,在高壓輸入時的能效高。

圖1:NCL35076 CCM 75 W方案典型應(yīng)用電路圖

圖2所示的NCL30076 QR 240 W方案采用了安森美的NCL2801CDA PFC驅(qū)動器,NCL30076降壓驅(qū)動器,NCP10671開關(guān)驅(qū)動器和一個調(diào)光信號控制器。NCL2801CDA是一款電流模式 CrM 升壓PFC控制器,利用安森美的總諧波失真(THD) ?增強技術(shù)可在更寬的工作范圍內(nèi)提供同類最佳的THD 性能。谷計數(shù)頻率折回 (VCFF) 方法優(yōu)化能效和待機功耗。NCP10671 集成固定頻率電流模式控制器與 700 V MOSFET,集成度高,包括軟啟動、頻率抖動、短路保護、跳周期、斜坡補償和動態(tài)自供電(省去輔助繞組)。在標(biāo)稱負載運行期間,NCP10671 以可用頻率之一(60 或 100 kHz)進行切換。當(dāng)輸出功率需求減少時,IC 會自動進入跳周期模式以降低待機功耗。保護功能包括:檢測過載或短路事件的計時器,具有自動恢復(fù)功能的過壓保護。NCP10671具有優(yōu)化的待機性能,連接輔助繞組或從輸出為 IC 供電,停止 DSS 工作,并幫助將高壓時的輸入功耗降低到 15 mW 以下。

圖2:NCL2801 + NCL30076 QR 240 W方案典型應(yīng)用框圖

精確的穩(wěn)流和寬模擬調(diào)光
另外,NCL35076 CCM 75 W評估板和NCL30076 QR 100 W評估板的穩(wěn)流精度及模擬調(diào)光范圍測試條件及結(jié)果如下:

NCL35076 CCM 75 W評估板:

VOUT (50/30/10 V),電感值為典型值±20%,溫度 (-10/25/90 oC),測試了27條調(diào)光曲線,穩(wěn)流精度在滿載時為± 1.5% ,在1%負載時為±10% ,模擬調(diào)光范圍<1% 。

NCL30076 QR 100 W評估板:

VOUT (300/200/100 V),電感值為典型值±15%,溫度 (-10/25/90 oC),測試了27條調(diào)光曲線,穩(wěn)流精度在滿載時為± 2% ,在1%負載時為±14% ,模擬調(diào)光范圍<1% 。

能效測試
評估板測試條件和能效曲線如下。NCL35076 CCM 75 W評估板在10 V、30 V、50 V的能效可高達92%、96%、超過98%,NCL30076 QR 100 W評估板在100 V、200 V、300 V的能效可分別超過96%、97%和接近98%。

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圖3:評估板能效測試曲線

熱性能測試
我們測試了輸入電壓Vin 60 V,Vout 50 V,Iout 1.5 A,NCL35076 CCM 75 W評估板在工作30分鐘時,熱性能表現(xiàn)佳。輸入電壓Vin 400 V,Vout 300 V,Iout 0333 A,NCL30076 QR 100 W評估板在工作30分鐘時也表現(xiàn)出很好的熱性能。

總結(jié)
安森美的基于NCL35076或NCL30076的可調(diào)光LED照明降壓方案具有高能效、高精度、高可靠性的優(yōu)勢,模擬調(diào)光范圍低至1%,專有的LED電流計算技術(shù)和內(nèi)部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移使得穩(wěn)流精度在滿載時<±2%,在1%的負載時<±20%,也提供PWM調(diào)光以保持恒定的LED色溫。豐富的保護特性確保高的系統(tǒng)可靠性。高能效、智能的LED照明是安森美智能電源的組成部分,將助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。
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安森美

安森美

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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