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盤點放大器共模抑制比參數測量方法 - 放大器參數解析與LTspice仿真 - 放大器參數解析與LTspice仿真

2020/10/27
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測量放大器失調電壓、偏置電流參數,可根據所設計的電路簡易調整就能完成測試。而共模抑制比參數的測試方法卻相對復雜,本篇分析幾種常被誤用的放大器共模抑制比測量方法的不足之處,以及提供一種有效測量共模抑制比電路以及提供仿真。

如圖 2.56 所示的 4 組共模抑制比測試電路,測試原理沒有異議,但是在實際測量中無法得到有效測量結果,主要原因在于對電路配套器件的規(guī)格要求極其苛刻,使這些測量方法缺乏可操作性,如下詳細分析。

圖 2.56(a)直接定義測量法是測量差模增益和共模增益,再根據定義計算共模抑制比。電路使用電感電容形成低通濾波器,用作通直流、阻交流的功能。在 CMOS 放大器電路中,常使用1GΩ電阻代替電感,如果雙極型晶體管作為輸入級的放大器,較大的基極電流在反饋電阻上的壓降會導致整個環(huán)路產生很大直流點漂移,影響測量結果。

圖 2.56 不適用的共模抑制比測量方法

如圖 2.56(b)為匹配信號源法,使用兩個信號源分別加載于被測放大器的同相、反相輸入端,由于放大器的差模增益遠遠大于共模增益,共模抑制比近似為式 2-37。

但是在實際測試中,難以實現兩個幅值絕對相等,相位嚴格同步的信號作為激勵信號。而在失配的信號源激勵下,所得到的測量結果不能體現放大器真實的共模抑制性能。

如圖 2.56(c)為電壓測量法,保持放大器的供電電壓范圍不變,即 Vcc 與 Vee 之差為常量,調節(jié) Vcc、Vee 的絕對電壓,由二者的分壓中心值電壓作為共模電壓(Vcm)提供到同相輸入端,根據對應的輸出電壓(Vout)計算共模抑制比。該方法的漏洞在于將共模抑制比作為導致直流誤差的唯一因素,忽略電源抑制比等其他因素的影響,測試結果失去意義。

如圖 2.56(d)為匹配電阻法,也是部分工程師習慣使用的測量方法,該法的電路原理工作原理與測量誤差分析已在《電阻誤差對電路共模抑制比的影響與蒙特卡洛分析》闡述,本節(jié)不再累述。如果使用該法測量 CMRR 大于 100dB 的放大器,需要誤差小于 1ppm 的電阻進行匹配才能實現。

相比上述測量方法的不足,圖 2.57 增加一款高開環(huán)增益、低失調電壓、低偏置電流的輔助放大器 AMP,無需精密電阻就能實現放大器的共模抑制比的準確測量。

圖 2.57 輔助運放 - 電源法測量共模抑制比電路

待測放大器(DUT)工作電壓范圍保持 30V 不變,但是 Vcc,Vee 的絕對電壓,通過開關 S1,S2 控制由 -25~+5V 切換到 -5~+25V。由此為 DUT 提供±10V 輸入共模電壓,分別測量開關 S1,S2 切換前后的輸出電壓 Vout,并標記為 Vout1、Vout2,結合電路的噪聲增益計算共模抑制比如式 2-38。

對圖 2.57 共模抑制比測試電路,將 ADA4077 作為待測放大器(DUT),輔助放大器使用 LT1012AI,電阻誤差為 1%。

如圖 2.58,在 25℃環(huán)境中,±15V 電壓工作時,LT1012IA 失調電壓最大值為 25uV,偏置電流最大值為 100pA,開環(huán)電壓增益典型值為 2000 V/mV。

圖 2.58 LT1012 失調電壓,偏置電流,開環(huán)增益參數

使用 LTspice 進行仿真,當 DUT 使用 Vcc 為+5V,Vee 為 -25V 供電時,瞬態(tài)分析結果如圖 2.59。電路輸出 Vout1 為 3.535mV。

圖 2.59ADA4077 共模抑制比測試 Vout1 瞬態(tài)分析結果

當 DUT 使用 Vcc 為+25V,Vee 為 -5V 供電時,瞬態(tài)分析結果如圖 2.60。電路輸出 Vout2 為 3.609mV。

圖 2.60ADA4077 共模抑制比測試 Vout2 瞬態(tài)分析結果

將上述仿真結果代入式 2-38,計算 ADA4077 的共模抑制比為:

如圖 2.2,仿真計算結果為 148.7dB,接近 ADA4077 數據手冊中共模抑制比的典型值 150dB。

圖 2.2?ADA4077 直流性能參數

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作者,副高級工程師,IEEE member。《運算放大器參數解析與LTspice應用仿真》是以實際運算放大器參數應用為目的進行講解,配合筆者精選的十余項極具代表性的放大器設計案例,以及50余例LTspice仿真電路,幫助工程師從原理到實踐系統性掌握放大器設計要點。同時,介紹免費的仿真工具——LTspice,方便在日常工作中使用。