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與非網(wǎng) 8 月 26 日訊，工商信息顯示，華為出資 7 億元全資控股，剛剛于今年 4 月 23 日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達(dá) 10%。
山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。
第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。在應(yīng)用方面，根據(jù)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展情況，其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他 4 個領(lǐng)域，每個領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同。
“得碳化硅者得天下”！有業(yè)內(nèi)人士稱。甚至可以說，無碳化硅難 5G。我國及全球 5G 網(wǎng)絡(luò)正在大規(guī)模建設(shè)中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。而碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機(jī)”。業(yè)內(nèi)人士稱，碳化硅材料實現(xiàn)量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動國內(nèi) 5G 芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。
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