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早有消息顯示三星將在其手機(jī)中棄用高通芯片，改用自家的Exynos芯片，三星這樣做是有原因的。坊間傳聞三星Galaxy S6和S6 Edge采用高通驍龍810會(huì)出現(xiàn)過熱現(xiàn)象。
有國外科技媒體報(bào)道驍龍810芯片的過熱現(xiàn)象確實(shí)存在，這是在一款高端芯片中不該出現(xiàn)的。該媒體為驗(yàn)證此事甚至找到專業(yè)實(shí)驗(yàn)室Primate Labs，對采用了驍龍810的HTC M9和LG G Flex 2手機(jī)進(jìn)行測試。驍龍810推出時(shí)稱較前幾代產(chǎn)品包括800、801和805的處理速度都要快。
在外行看來，智能手機(jī)和平板電腦過熱時(shí)就會(huì)出現(xiàn)節(jié)流。但是在驍龍810這個(gè)案例上，節(jié)流現(xiàn)象出現(xiàn)的過早，讓處理器迅速變熱。
根據(jù)Primate Labs的測試，把Galaxy S6和HTC的手機(jī)做比較，采用Exynos芯片的三星手機(jī)明顯性能更好。該組織比較了Exynos 7420中采用的大核ARM Cortex A57和驍龍810種對應(yīng)的大核的性能，差異相當(dāng)明顯。
當(dāng)兩個(gè)手機(jī)都出現(xiàn)節(jié)流的時(shí)候，驍龍810頻率在幾分鐘內(nèi)迅速降到900MHz以下。而另一邊，Exynos芯片依然表現(xiàn)良好，因?yàn)樗鼪]有啟用小核，在測試的15分鐘內(nèi)一直保持良好散熱和始終速度。
因?yàn)轵旪?10的過熱和節(jié)流問題，可能導(dǎo)致HTC One M9和LG G Flex 2的電池使用壽命縮短，性能表現(xiàn)更差。而高通芯片過熱的原因在于其采用了臺(tái)積電20nm制造工藝。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工藝。
有媒體稱三星在如何利用Cortex CPU內(nèi)核來實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)和其他終端設(shè)備的設(shè)計(jì)方面更有經(jīng)驗(yàn)。高通很可能在現(xiàn)代產(chǎn)品驍龍820上改善現(xiàn)有問題，包括更加高效并采用更低的14nm工藝。芯片也會(huì)采用定制化的64位Kryo架構(gòu)，徹底解決810出現(xiàn)的問題。
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