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像很多日系廠商都有自己獨(dú)特的材料技術(shù)一樣，列舉TDK公司發(fā)展歷史上的發(fā)明，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)TDK公司是以鐵氧體起家，磁性材料及相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)一直都是它們的優(yōu)勢(shì)技術(shù)。此次日本之行的第二站我們就來到TDK公司位于東京的技術(shù)總部，來一探這家企業(yè)的技術(shù)研發(fā)路徑。
TDK公司常務(wù)執(zhí)行董事、技術(shù)本部長松岡薰先生介紹，目前在公司總營業(yè)額中海外占9成，大部分的生產(chǎn)是在海外，公司將每年總營收的6%投入研發(fā)，公司長期課題的開發(fā)正向全球拓展，已涵蓋四大板塊，包括日本負(fù)責(zé)長期課題開發(fā)，歐洲承擔(dān)器件的短期開發(fā)和制造，亞洲側(cè)重于通信和能源，并將日本的長期課題分割為短期開發(fā)與制造，未來也會(huì)將一部分長期項(xiàng)目放在亞洲，美洲則側(cè)重在通信方面，為應(yīng)對(duì)市場的短期課題開發(fā)。
TDK公司常務(wù)執(zhí)行董事、技術(shù)本部長松岡薰先生（右）和技術(shù)本部戰(zhàn)略部長崔京九先生（左）攝影于2014年9月9日
提到研發(fā)重點(diǎn)，松岡薰先生表示，TDK公司關(guān)注下一代信息通信與能源技術(shù)，包括電源、汽車、工業(yè)三大重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域。這幾個(gè)領(lǐng)域中，按照從上游的原料，到中游的材料、零部件與器件、模塊，再到下游的配套、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)來劃分，其中上游部分的市場容量約為9萬億日元，中游部分約為47萬億日元，下游產(chǎn)業(yè)則約為73萬億，目前TDK公司只覆蓋中游這部分市場，而其目標(biāo)是希望能給客戶提供從一般電子零部件、半導(dǎo)體到FPD的附加值，在中游和下游市場發(fā)掘更多機(jī)會(huì)。
挑戰(zhàn)與革命是技術(shù)發(fā)展源泉
“挑戰(zhàn)與革命是技術(shù)發(fā)展源泉，挑戰(zhàn)意味著要突破瓶頸，帶來更多新產(chǎn)品和新可能?！彼蓪瓜壬缡钦f。而TDK從不缺乏突破和創(chuàng)新的基因，松岡薰先生接下來介紹的幾款新產(chǎn)品和方案很好的詮釋了這一點(diǎn)：
磁頭產(chǎn)品。TDK在硬盤磁頭產(chǎn)品領(lǐng)域具備更強(qiáng)大的市場競爭力，2009年TDK公司首次展示最新的熱輔助磁記錄技術(shù)（TAMR），這一技術(shù)的原理是：超高記錄密度的磁場非常弱，需要矯頑磁場強(qiáng)度很強(qiáng)的記錄介質(zhì)來保持。但給磁頭記錄磁跡帶來困難。在熱輔助磁記錄技術(shù)里，在磁頭寫磁跡的同時(shí)利用熱把記錄介質(zhì)加熱，瞬間降低矯頑磁場強(qiáng)度，使非常弱的超高記錄密度的磁跡容易寫入記錄介質(zhì)。
到2012年，TDK公司再次更新了熱輔助磁記錄技術(shù)，使用近場光來加熱介質(zhì)，可將硬盤碟片存儲(chǔ)密度提高到1.5Tb每平方英寸，是現(xiàn)有技術(shù)的大約兩倍。
要知道這種熱輔助磁記錄技術(shù)的難點(diǎn)在哪兒，我們可以通過幾個(gè)數(shù)據(jù)來了解。通常計(jì)算機(jī)中使用的硬盤是利用磁頭將電極的N極、S極寫到磁盤里，對(duì)于典型的2.5英寸、3.5英寸磁盤，精度可使1.25*0.8*0.3mm的滑塊浮起，磁頭懸浮高度約10nm，其中潤滑層厚度約為6nm，保護(hù)層部分采用的類金剛石膜只有20nm厚，磁性記錄層為20nm，想想目前半導(dǎo)體可量產(chǎn)的最小工藝尺寸也有28nm，磁頭要應(yīng)對(duì)更小尺寸的應(yīng)用環(huán)境，做納米級(jí)的處理，相對(duì)于典型的半導(dǎo)體光蝕加工需要幾十道工序，磁頭則需更多工序才能加工完成，實(shí)現(xiàn)起來難度可想而知。
內(nèi)置基板薄膜電容器。這項(xiàng)技術(shù)源于TDK公司在磁帶技術(shù)上的積累，隨著磁帶這種存儲(chǔ)方式淡出市場，TDK公司轉(zhuǎn)而開發(fā)出了這種薄膜電容器，讓磁帶的薄膜技術(shù)以另一種形態(tài)獲得了新生和更大的應(yīng)用價(jià)值。
松岡薰先生提到，TDK歷經(jīng)10年漫長開發(fā)過程實(shí)現(xiàn)了最新的薄膜電容器產(chǎn)品，其中如何提高由真空鍍膜技術(shù)制造的介電膜的介電常數(shù)是他們要攻克的難點(diǎn)，將成品率從最初的20%提升到90%也花了3年的時(shí)間。
在例如超級(jí)計(jì)算機(jī)的應(yīng)用中，隨著數(shù)據(jù)通信速度的不斷翻倍，要求處理器的處理速度隨之加快，噪聲也就隨之增加，此時(shí)普通電容器的阻抗較大容易受噪聲影響，這時(shí)薄膜電容器就可以發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。因?yàn)椴捎帽∧る娙萜骱笥?jì)算機(jī)的抗電磁噪聲能力提高，高速演算性能得到明顯改善?！白鳛閮?nèi)置基板電容器，電容器在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)明顯，主要針對(duì)高速通信的零部件、4K/8K電視、電子游戲機(jī)的高速處理器等有可能采用。明年將有具體應(yīng)用的產(chǎn)品上市。”松岡薰先生補(bǔ)充。
為電動(dòng)汽車快速充電的鐵氧體線圈。目前國內(nèi)電動(dòng)汽車之所以無法被用戶接受很大一部分原因之一在于充電問題沒有得到很好解決，到哪兒充電以及充多久都還懸而未決，尤其是如何實(shí)現(xiàn)快速充電的問題，讓很多廠商傷透腦筋。針對(duì)這種狀況，以TDK為代表的一些廠商提出了一種鐵氧體線圈充電的方法，即3D無線充電，這種方法通過在部分路面鋪設(shè)線圈產(chǎn)生電磁場傳輸電力，通過電動(dòng)汽車中的鐵氧體線圈充電，可實(shí)現(xiàn)汽車行駛中的電能補(bǔ)充，延長行駛時(shí)間，目前TDK的3D無線充電技術(shù)可實(shí)現(xiàn)85%的充電效率。
松岡薰先生也坦言，因?yàn)槟壳拌F氧體線圈充電方式仍屬于一項(xiàng)新技術(shù)，缺少業(yè)界普遍遵循的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，距離真正商用仍有一定距離，但TDK因在磁性材料和鐵氧體線圈充電方面豐富的技術(shù)積累而備受業(yè)界推崇，TDK向日本的電波法提出了積極的意見，美國的電磁干擾法規(guī)也曾向TDK尋求建議，TDK擁有電波暗室可對(duì)線圈電磁噪聲進(jìn)行測(cè)試，給美國廠商提供技術(shù)。
延續(xù)，磁性元件的生機(jī)
談及未來發(fā)展，TDK公司技術(shù)本部戰(zhàn)略部長崔京九先生表示，未來的通信技術(shù)將是云的天下，數(shù)據(jù)中心的大型存儲(chǔ)設(shè)備將成為重要的市場增長點(diǎn)，也是TDK關(guān)注的重點(diǎn)，相信未來硬盤單位面積的成本將更低，同時(shí)TDK也將在小型儲(chǔ)能EDC方面加大技術(shù)投入。
我們看到磁性材料之外，TDK公司近年來不斷擴(kuò)展新的技術(shù)和產(chǎn)品，但TDK在新興技術(shù)和市場領(lǐng)域的拓展都是基于原有技術(shù)的延長線，充分考慮新舊技術(shù)的結(jié)合點(diǎn)，以關(guān)聯(lián)性創(chuàng)新為主。
“當(dāng)然，新技術(shù)既然有創(chuàng)新性特點(diǎn)，就不能不排除有顛覆性創(chuàng)新出現(xiàn)的可能性?！彼蓪瓜壬缡钦f。
“TDK在鐵氧體方面的優(yōu)勢(shì)在于我們很注重技術(shù)傳承、人才儲(chǔ)備、技術(shù)儲(chǔ)備，有多年積累下來的經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)，弱點(diǎn)也是人的因素，可能出現(xiàn)夜郎自大和自我封閉，保持開放性心態(tài)很重要?！贝蘧┚畔壬a(bǔ)充。
崔京九先生也提到，“我們很清楚自己的優(yōu)勢(shì)，在材料方面的特長，在器件產(chǎn)品開發(fā)中也考慮創(chuàng)新型材料的采用。材料開發(fā)的特點(diǎn)是開發(fā)周期長，需要持續(xù)性投入，同時(shí)關(guān)注新材料開發(fā)，目前既有基于鐵氧體的材料，也有完全不同的其他材料，包括稀土磁鐵（釹磁鐵）以及非稀土材料等?！?/p>
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