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引言
當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)到22nm及以下節(jié)點(diǎn)時(shí)，隨著多重圖形技術(shù)的引入，對(duì)不同工藝層之間套刻（Overlay）誤差的要求變得越來越高。套刻測(cè)量技術(shù)可分為基于像面圖像識(shí)別測(cè)量技術(shù)和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）測(cè)量技術(shù)。相比于基于圖像識(shí)別的方法，基于衍射的套刻誤差測(cè)量具有更好的測(cè)量結(jié)果重復(fù)性、更低的設(shè)備引起測(cè)量誤差TIS（Tool Introduced Shift）、可適應(yīng)更小的特征尺寸等特點(diǎn)，成為大規(guī)模集成電路22 nm及以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)所廣泛采用的套刻測(cè)量方式。
為了測(cè)量套刻誤差，在晶圓上需要專門設(shè)計(jì)特定的套刻標(biāo)記，套刻誤差裝置測(cè)量的性能很大程度上取決于套刻標(biāo)記的設(shè)計(jì)?；谟?jì)算光刻的DBO套刻標(biāo)識(shí)優(yōu)化工具可以仿真套刻誤差測(cè)量的關(guān)鍵指標(biāo)，從而基于仿真結(jié)果可以給出具有更佳表現(xiàn)的套刻標(biāo)記設(shè)計(jì)方案，進(jìn)而縮短標(biāo)記研發(fā)的周期并提高整個(gè)光刻過程的效率和質(zhì)量。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
東方晶源基于堅(jiān)實(shí)的計(jì)算光刻平臺(tái)PanGen?推出了DBO套刻標(biāo)記仿真優(yōu)化產(chǎn)品PanOVL，可以對(duì)套刻標(biāo)記從多個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)維度展開計(jì)算仿真。同時(shí)考慮大規(guī)模仿真海量套刻標(biāo)記的應(yīng)用場(chǎng)景，PanOVL引入了分布式的計(jì)算框架，大大加速了通過仿真尋找更優(yōu)套刻標(biāo)記的效率。
產(chǎn)品功能
東方晶源的PanOVL軟件利用PanGen OPC?引擎以及PanGen Sim?嚴(yán)格電磁場(chǎng)仿真引擎，借助GPU+CPU混算平臺(tái)和PanGen?分布式計(jì)算框架，可以進(jìn)行大規(guī)模套刻標(biāo)記仿真，并綜合多個(gè)維度的仿真結(jié)果優(yōu)選出表現(xiàn)更佳的套刻標(biāo)記方案用于實(shí)際光刻工藝。 PanOVL可以識(shí)別具有較大工藝窗口的套刻標(biāo)記、給出滿足良好信噪比并且探測(cè)信號(hào)抗工藝擾動(dòng)能力更強(qiáng)的套刻標(biāo)記，還可以仿真曝光過程像差對(duì)套刻標(biāo)記的影響，提供令套刻測(cè)量結(jié)果更貼合器件實(shí)際情況的套刻標(biāo)記。
展望
東方晶源PanOVL產(chǎn)品的發(fā)布豐富了PanGen?計(jì)算光刻平臺(tái)產(chǎn)品矩陣，同時(shí)通過以PanOVL產(chǎn)品為紐帶可以加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作，為客戶提供更全面的服務(wù)，助力客戶在晶圓制造能力方面的提升。PanOVL的研發(fā)將進(jìn)一步夯實(shí)東方晶源在計(jì)算光刻領(lǐng)域的技術(shù)全面性和拓展性，為業(yè)界帶來更加領(lǐng)先、前瞻的晶圓制造EDA解決方案。
