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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。

300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓

基于GaN的功率半導(dǎo)體正在工業(yè)、汽車、消費(fèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用中快速普及，包括AI 系統(tǒng)電源、太陽(yáng)能逆變器、充電器和適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)等。先進(jìn)的GaN制造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶的應(yīng)用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑借可擴(kuò)展性，300 mm制造工藝在客戶供應(yīng)方面具有極高的穩(wěn)定性。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這項(xiàng)重大成功是英飛凌的創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊(duì)努力工作的結(jié)果，進(jìn)一步展現(xiàn)了我們?cè)贕aN和功率系統(tǒng)領(lǐng)域創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。這一技術(shù)突破將推動(dòng)行業(yè)變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購(gòu)GaN Systems近一年后，我們?cè)俅握宫F(xiàn)了在快速增長(zhǎng)的GaN市場(chǎng)成為領(lǐng)導(dǎo)者的決心。作為功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌掌握了全部三種相關(guān)材料，即：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck

英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導(dǎo)體晶圓廠中，利用現(xiàn)有300 mm硅生產(chǎn)設(shè)備的整合試產(chǎn)線，成功地生產(chǎn)出300 mm GaN晶圓。英飛凌正通過現(xiàn)有的 300 mm硅和 200 mm GaN的成熟產(chǎn)能發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，同時(shí)還將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。憑借300 mm GaN制程技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)。據(jù)估計(jì)，到2030年末，GaN市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到數(shù)十億美元。

英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導(dǎo)體晶圓廠

這一開創(chuàng)性的技術(shù)成就彰顯了英飛凌在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。英飛凌正通過布局300 mm GaN技術(shù)，打造更具成本效益價(jià)值、能夠滿足客戶系統(tǒng)全方位需求的產(chǎn)品，以加強(qiáng)現(xiàn)有解決方案并使新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300 mm GaN晶圓。

由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300 mm GaN技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的 300 mm硅制造設(shè)備。英飛凌現(xiàn)有的大批量300 mm硅生產(chǎn)線非常適合試產(chǎn)可靠的GaN技術(shù)，既加快了實(shí)現(xiàn)的速度，又能夠有效利用資本。300 mm GaN的全規(guī)?；a(chǎn)將有助于實(shí)現(xiàn)GaN與硅的成本在同一RDS(on) 級(jí)別能夠接近，這意味著同級(jí)的硅和GaN產(chǎn)品的成本將能夠持平。

300 mm GaN是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數(shù)字化使命的達(dá)成。