湖南靜芯推出針對HDBaseT接口的靜電和浪涌防護器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2

1. HDBaseT技術(shù)簡介

HDBaseT技術(shù)，由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony（均來自亞洲），攜手以色列的半導(dǎo)體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor，共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP（高清內(nèi)容保護）認證，標(biāo)志著其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性與安全性。隨后，在2010年6月底，HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立，為行業(yè)樹立了新的里程碑。

與HDMI和DisplayPort等標(biāo)準(zhǔn)不同，HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計，而是巧妙地采用了RJ45接口，這一接口常被稱為水晶頭或以太網(wǎng)接口，極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時，HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì)，進一步降低了部署成本，增強了其普及性。

HDBaseT標(biāo)準(zhǔn)不僅限于視頻信號的傳輸，它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能，實現(xiàn)了音視頻信號與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電（PoE），即可以通過網(wǎng)線同時為連接的設(shè)備提供電力，極大地簡化了布線工作，提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。

2. HDBaseT版本介紹

表1? HDBaseT版本介紹

3. 湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦

靜芯推出超小體積、超高峰值電流，低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC，該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX（發(fā)送）和RX（接收）線路設(shè)計。SENC26F3V4UC為單路保護器件，具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性，滿足115V低壓浪涌（8/20us)的過壓保護需求（VRWM=3.3V MAX，VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us)）。以其更小的容值和更高的峰值電流，為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護效果，確保了信號的完整性和設(shè)備的安全性。

圖1? 基本電性圖

4. SENC26F3V4UC參數(shù)對比RClamp2504N（包含測試圖形）

表2? 器件測試參數(shù)對比

圖2? 峰值電流10A 8/20測試曲線

（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）

圖3 極限測試 8/20浪涌測試曲線

（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）

SENC26F3V4UC的實測過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實測過流能力28A， SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A，超過10A后的鉗位電壓，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會明顯好于RCLAMP2504N，考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測試極端參數(shù)條件下的可靠性，在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會低于11V（RCLAMP2504N為14.2V）,對系統(tǒng)的防護效果更好。

在1A附近的鉗位電壓的實測數(shù)據(jù)：SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大（規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足，標(biāo)的典型值7V，最大值10V；RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個值已經(jīng)和實測的典型值接近了。）

SENC26F3V4UC第5號管腳可以接3.3V的VCC（RCLAMP2504N的5號管腳規(guī)格書提示不能接VCC，有風(fēng)險），對3.3V提供比較好的防護，對靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護，實際布線電源走線可以先連接到器件5號腳，再給到應(yīng)用電路。

5. HDBaseT電路框圖

圖? 典型應(yīng)用圖

防護方案中所使用ESD型號參數(shù)描述（詳盡參數(shù)請與我司代理聯(lián)系）：

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