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業(yè)內(nèi)最高性價(jià)比RS485/422通訊接口靜電防護(hù)器件SENC712A

08/13 08:53
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RS485/422接口在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛,為了防止靜電放電事件對(duì)端口的損害,業(yè)內(nèi)常使用SM712器件作為485搭配做靜電防護(hù)?;谠摲桨傅膹V泛應(yīng)用,湖南靜芯推出業(yè)內(nèi)最高性價(jià)比RS485/422通訊接口靜電防護(hù)器件SENC712A。該器件創(chuàng)新性的提出單顆芯片雙向非對(duì)稱結(jié)構(gòu),優(yōu)化了器件性能,解決了4芯產(chǎn)品封裝時(shí)芯片溢出基島的問題,提升了封裝的靈活性和可靠性,同時(shí)大大降低了成本?;谠摻Y(jié)構(gòu)靜芯還推出了業(yè)內(nèi)最大功率SENC712HA靜電防護(hù)器件,可達(dá)800W,和業(yè)內(nèi)競(jìng)品相比,通流能力顯著提升,鉗位電壓顯著下降,能為RS485芯片提供更好的靜電和浪涌防護(hù)。SENC712A研發(fā)成功至今累計(jì)出貨已經(jīng)超過5000萬顆。

SENC712A技術(shù)特點(diǎn)

傳統(tǒng)712器件實(shí)現(xiàn)工藝,需要做兩顆7V單向與兩顆12V單向ESD防護(hù)器件,這樣做時(shí)需要4顆芯片做4次固晶工藝,同時(shí)由于SOT23封裝基島面積有限,達(dá)到450W功率前提下,中間芯片會(huì)溢出基島,造成芯片懸空帶來可靠性風(fēng)險(xiǎn),目前絕大部分712產(chǎn)品都使用4芯高溫共晶方式固晶,高溫共晶要求芯片背面金屬為TiNiAu,芯片成本較高,造成器件總成本一直無法降低。基于上述的情況,靜芯研發(fā)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性的推出單芯片雙向非對(duì)稱器件結(jié)構(gòu),通過器件結(jié)構(gòu)與工藝的配合實(shí)現(xiàn)了單芯片正面7V背面12V,使得在封裝時(shí)可以以兩顆芯片連劃方式放置在基島中間,且不會(huì)溢出基島,提高了封裝的可靠性與靈活性。該芯片可以使用高溫共晶、低溫共晶、導(dǎo)電膠方式實(shí)現(xiàn)封裝固晶工藝。同時(shí)兩顆芯片與單次上芯大大節(jié)約了器件成本,保證性能的前提下,提高了性價(jià)比,同時(shí)也可以實(shí)現(xiàn)更大泄放功率,為對(duì)靜電浪涌防護(hù)要求更高的方案提供了選擇。

SENC712A產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SENC712A是一款SOT-23封裝可應(yīng)用到RS485接口超高速差分線上的ESD防護(hù)器件。器件內(nèi)部集成了兩路非對(duì)稱電壓(-7V~12V)的ESD防護(hù)器件,本身寄生電容僅為34pf。IO端到GND端的IPP(峰值脈沖電流)為17A,鉗位電壓為24V,GND端到IO端的IPP(峰值脈沖電流)為22A,鉗位電壓為18V。超低的鉗位電壓可為主芯片提供極優(yōu)的靜電保護(hù)效果。符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

應(yīng)用方案

湖南靜芯ES3088E是常用于RS485通信的差分線驅(qū)動(dòng)器/接收器芯片。它通常用于將單端信號(hào)轉(zhuǎn)換為差分信號(hào),以便在長(zhǎng)距離或高噪聲環(huán)境中進(jìn)行傳輸,同時(shí)也能接收差分信號(hào)并轉(zhuǎn)換為單端信號(hào)。當(dāng)兩芯片進(jìn)行差分信號(hào)的發(fā)送和接收時(shí),將ESD防護(hù)器件SENC712A并聯(lián)于差分信號(hào)線之間,增強(qiáng)電路的可靠性和抗干擾能力。使用ES3088EESA與SENC712A的組合方案,可以實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最優(yōu)性價(jià)比通訊與靜電防護(hù)方案。

湖南靜芯同時(shí)推薦SENC712HA作為RS485的防護(hù)器件。SENC712A 和SENC712HA是兩款用于防止靜電放電、過壓等瞬態(tài)事件ESD防護(hù)器件,兩款器件電氣特性相似,但其中SENC712HA防護(hù)性能更優(yōu)異,峰值功率(Ppk 800W)和峰值電流(IPP 40A)更高,客戶可根據(jù)接口實(shí)際性能進(jìn)行選取。

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM Pin1 or Pin2 to Pin3 12.0 V
Pin3 to Pin1 or Pin2 7.0
Reverse

Breakdown Voltage

VBR Pin1 or Pin2 to Pin3; IR= 1mA 13.3 16.3 V
Pin3 to Pin 1or Pin2; IR= 1mA 7.5 9.8
Reverse

Leakage

Current

IR Pin1 or Pin2 to Pin3; VRWM=12V 1.0 uA
Pin3 to Pin1or Pin2; VRWM=7V 1.0
Clamping Voltage VCL Pin1 or Pin2 to Pin3; IPP=17A 24.0 V
Pin3 to Pin1 or Pin2; IPP=22A 18.0
Junction capacitance CO I/O-GDN, VR=0V; f = 1MHz 34 pF

總結(jié)與結(jié)論

SENC712A產(chǎn)品可以Pin to Pin 替代業(yè)內(nèi)常見SM712、SDT23C712L02、PSM712-LF-T7、SM712-02HTG、CDSOT23-SM712、RLST23A712C、ESDBW712C2、SM712.TCT、BST23C712V、STS232712B451、BV_SM712、WS712M等產(chǎn)品,擁有更高性價(jià)比,歡迎大家聯(lián)系我司代理申請(qǐng)樣品。

湖南靜芯專注于打造高性價(jià)比的靜電放電(ESD)防護(hù)芯片,憑借其在晶圓工藝領(lǐng)域的定制化創(chuàng)新、精密器件研發(fā)能力,以及與封裝廠商建立的緊密合作機(jī)制,采用獨(dú)特設(shè)計(jì)策略,并持續(xù)優(yōu)化供應(yīng)鏈體系,成功推出了具有卓越性價(jià)比的ESD防護(hù)解決方案。這些產(chǎn)品不僅展現(xiàn)了出色的成本控制優(yōu)勢(shì),更在ESD保護(hù)效能上達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平,深受市場(chǎng)歡迎,廣泛應(yīng)用于各類電子終端產(chǎn)品之中,有效保障了設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行與數(shù)據(jù)安全。

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器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
3-1393222-9 1 TE Connectivity POWER/SIGNAL RELAY, SPST, MOMENTARY, 0.011A (COIL), 24VDC (COIL), 254mW (COIL), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT, ROHS COMPLIANT

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