如何正確計算并使用晶振的外接負載電容

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晶體振蕩器(晶振)是電子設備中常用的頻率源，其性能的穩(wěn)定性很大程度上取決于外接負載電容的選擇。然而，直接使用晶振規(guī)格書上的負載電容CL值并不是一個準確的做法。以下是如何正確計算并使用晶振外接負載電容的詳細步驟。

不能直接使用規(guī)格書上的CL值

晶振的負載電容CL值在規(guī)格書中給出，但這個值并不能直接用于電路設計。原因如下：

1.?雜散電容的存在：電路板上不可避免的雜散電容會影響晶振的實際負載。

2.?電路設計因素：晶振與驅動電路之間的連接會引入額外的電容。

計算實際外接負載電容的步驟

1.?確定規(guī)格書上的CL值：首先查閱晶振的規(guī)格書，找到推薦的負載電容CL值。

2.?估算雜散電容Cs：一般情況下，雜散電容Cs的估算值為3pF到5pF。

3.?計算實際外接電容：

從CL值中減去雜散電容Cs。

將結果乘以2，因為晶振通常需要兩個外接電容，它們是并聯(lián)的。

示例計算

示例1：CL=8pF的晶振

-?規(guī)格書上的CL值：8pF

-?雜散電容Cs估算：3pF

-?實際外接電容計算：(8pF?-?3pF)?x?2?=?10pF

-?推薦外接電容C1=C2≈10pF

示例2：CL=20pF的晶振

-?規(guī)格書上的CL值：20pF

-?雜散電容Cs估算：5pF

-?實際外接電容計算：(20pF?-?5pF)?x?2?=?30pF

-?推薦外接電容C1=C2≈30pF

注意事項

適用于KHz與MHz晶振：上述方法適用于KHz和MHz晶振。不同頻率的晶振可能對負載電容的敏感度不同，需要根據(jù)實際情況進行微調。

測試與驗證：在實際電路中，應通過測試來驗證外接電容值，確保晶振的性能滿足設計要求。

正確計算并使用晶振的外接負載電容是確保其在電路中穩(wěn)定運行的關鍵。通過考慮雜散電容的影響，并按照上述步驟進行計算，可以有效地提高晶振的頻率穩(wěn)定性和整體性能。在設計電路時，務必注意這些細節(jié)，以確保電子設備的可靠性和準確性。