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韓國顯示設(shè)備廠商Olum Material已著手開發(fā)用于硅基OLED的FMM

01/23 11:30
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CINNO?Research產(chǎn)業(yè)資訊,韓國顯示設(shè)備廠商Olum Material(前身為Teziotech)正在挑戰(zhàn)XR設(shè)備用OLEDoS Shadow Mask市場。Olum Material已著手開發(fā)用于OLEDoS的FMM(精細(xì)金屬掩模版),該FMM采用在硅基板上涂覆Invar(殷鋼合金)的電鑄合金的方式。去年三星顯示收購了美國OLEDoS公司eMagine后,基于硅基板的方式已成為OLEDoS用Shadow Mask技術(shù)的主要技術(shù)。Olum Material于去年4月啟動的5000PPI OLEDoS FMM政府開發(fā)課題將持續(xù)到明年12月。

根據(jù)韓媒thelec報(bào)道,據(jù)業(yè)界1月19日消息,Olum Material目前正在執(zhí)行一項(xiàng)韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部的“AR(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))·VR(虛擬現(xiàn)實(shí))用5000PPI(Pixels Per Inch)級高分辨率的量產(chǎn)用OLEDoS FMM開發(fā)”課題。該課題的研究期間為去年4月至明年12月。去年的研究費(fèi)預(yù)算為8.54億韓元(約460萬人民幣)。

Olum Material計(jì)劃通過在硅基板上以電鍍合計(jì)的方式涂布FMM材料Invar(一種特殊的鎳鐵合金)的EST(Electroforming on Silicon Template)方式制作硅基板集成式FMM。

該項(xiàng)目第一年的開發(fā)內(nèi)容為支持3000PPI以上的OLEDoS用8吋FMM開發(fā)。為此,有必要開發(fā)4微米(μm)以下的電鍍合計(jì)技術(shù)和硅基板與電鍍合計(jì)殷鋼之間的結(jié)合技術(shù)。從第二年開始,預(yù)計(jì)將支持5000PPI像素密度,并開發(fā)12吋的FMM。

Olum Material所指的EST方式FMM估計(jì)類似于APS計(jì)劃開發(fā)的基于硅基板的FMM。在過去的一年里,業(yè)界已有消息稱,APS正在考慮開發(fā)一種“FDM”(Fine Dry etching Mask),該掩模版采用電鍍合計(jì)方式將Invar涂布在硅基板上,通過曝光工藝和干法蝕刻工藝形成FMM圖案,然后用背面蝕刻(Back Etch)方式切除形成圖案的Invar背面的硅基板,僅將硅留在FMM邊框上。

通過將硅留在FMM邊框中,可以最大限度地減少FMM邊框是金屬時(shí)可能發(fā)生的“由硅片和FMM邊框之間的熱膨脹系數(shù)差異引起的變形”。將OLED蒸鍍在硅晶圓時(shí)由于產(chǎn)生的熱量會造成硅晶圓變形,如果FMM框架材料是硅,則可以減小由于與硅晶圓的熱膨脹系數(shù)差異而產(chǎn)生的變形幅度。

除了正在通過激光圖案化方式開展4000PPI FMM國家課題的APS之外,Olum Material也投入到硅基板的FMM的開發(fā)中。據(jù)評估,整體上看,基于硅基板的方式和通過電鑄合計(jì)方式形成Invar將成為整個(gè)OLEDoS Shadow Mask的主要技術(shù)。

一位業(yè)內(nèi)人士表示,“在傳統(tǒng)的通過壓延方式使Invar變薄的自上而下(Top Down)方式的FMM中,Invar厚度為10μm,像素密度僅可達(dá)到1000PPI。而如果最近正在開發(fā)的OLEDoS用FMM技術(shù),采用通過電分解方式涂布Invar的自下而上(Bottom Up)方式,Invar厚度可以達(dá)到幾μm,像素密度可以達(dá)到數(shù)千PPI”。并稱,“基于硅基板方式的掩模版技術(shù)的崛起,很大程度上受到了三星顯示收購eMagine的影響。

去年 5 月被三星顯示收購的美國 OLEDoS公司 eMagine 目前使用的不是Olum Materials 和 APS 正在開發(fā)的框架上留下硅的硅基板金屬M(fèi)ask,而是使用材料為硅的Mask。在eMagine方式中,將氮化硅蒸鍍在硅基板上,通過半導(dǎo)體光刻工藝制作圖案,然后切除硅基板。在這種方式中,掩模材料不是金屬,而是氮化硅。由于它是一種硅材料,因此具有難以清潔和反復(fù)使用的缺點(diǎn),但它主要用于為美國國防部制造OLEDoS,與經(jīng)濟(jì)性相比可靠性更為重要。

《全球Micro OLED微顯市場發(fā)展趨勢分析報(bào)告》

第一章 顯示技術(shù)概況

一、顯示技術(shù)發(fā)展歷程

二、顯示技術(shù)迭代與顯示形態(tài)階段1. 第一代模擬類顯示技術(shù)及其代表企業(yè)介紹2. 第二代玻璃基平板顯示技術(shù)及其代表企業(yè)介紹3. 第三代硅基半導(dǎo)體顯示技術(shù)及其代表企業(yè)介紹

第二章 全球XR產(chǎn)業(yè)及技術(shù)綜述

一、XR與HMD行業(yè)概念與發(fā)展歷程1. AR行業(yè)與設(shè)備2. VR行業(yè)與設(shè)備3. MR行業(yè)與設(shè)備4.?其他XR行業(yè)HMD設(shè)備5. XR行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵因素6.?相關(guān)行業(yè)政策與規(guī)范

二、XR行業(yè)下游應(yīng)用領(lǐng)域與市場空間1. 消費(fèi)電子市場(FPV、娛樂游戲等等)2. 教育醫(yī)療市場3. 工業(yè)應(yīng)用市場4. 辦公應(yīng)用市場5.?其他應(yīng)用領(lǐng)域

三、XR行業(yè)主流顯示技術(shù)與趨勢1. 主要顯示技術(shù)分類(1)玻璃基技術(shù)-AMOLED, TFT-LCD(2)Micro-OLED顯示技術(shù)(3)Micro-LED顯示技術(shù)(4)其他顯示技術(shù)-LCOS,DLP

2.AR市場主流顯示技術(shù)對比與發(fā)展趨勢

3.?VR市場主流顯示技術(shù)對比與發(fā)展趨勢

4.?其他重要市場主流顯示技術(shù)對比與發(fā)展趨勢

四、XR行業(yè)主流顯示技術(shù)出貨規(guī)模預(yù)測

1. 2020~2027E全球XR行業(yè)設(shè)備出貨量

2.?2020~2027E全球XR分技術(shù)別出貨情況

第三章?Micro?OLED技術(shù)概況及發(fā)展趨勢

一、Micro?OLED技術(shù)介紹與發(fā)展歷程二、Micro?OLED全產(chǎn)業(yè)鏈流程介紹1.?主要工藝流程介紹(1)?集成電路工藝環(huán)節(jié)介紹(2)?顯示屏制造工藝環(huán)節(jié)介紹(3)?光學(xué)整機(jī)制造工藝環(huán)節(jié)介紹?2.?典型XR產(chǎn)品生產(chǎn)流程概況3.?典型XR產(chǎn)品(Vision?Pro)成本結(jié)構(gòu)解析

三、Micro?OLED芯片設(shè)計(jì)制造1.?芯片設(shè)計(jì)流程介紹2.?芯片設(shè)計(jì)發(fā)展趨勢3. 芯片制造IDM及Fabless模式介紹

四、Micro?OLED顯示屏制造1. Micro OLED中后段工藝流程介紹(1)黃光段:電極制作等工藝流程(2)蒸鍍與膜層制作等工藝流程a)WOLED制作b)CF膜層制作(3)切割、玻璃貼合等其他工藝流程

2. Micro OLED顯示屏制造發(fā)展趨勢

五、Micro?OLED光學(xué)設(shè)計(jì)

1. 適配Micro?OLED的光學(xué)設(shè)計(jì)介紹

(1)自由曲面(2)Birdbath(3)幾何光波導(dǎo)(4)衍射光波導(dǎo)2. Micro?OLED與光學(xué)組合要點(diǎn)與發(fā)展趨勢

六、Micro?OLED下游整機(jī)制造1. Micro?OLED下游整機(jī)制造流程介紹2. 設(shè)計(jì)制造一體化在整機(jī)形態(tài)演進(jìn)中的發(fā)展趨勢
七、Micro OLED主要下游應(yīng)用1. XR產(chǎn)業(yè)應(yīng)用2. 其他消費(fèi)電子應(yīng)用3. 其他非消費(fèi)電子應(yīng)用

第四章 全球Micro?OLED產(chǎn)業(yè)鏈競爭格局分析

一、全球Micro?OLED顯示企業(yè)概述
二、全球Micro?OLED顯示企業(yè)競爭格局1.市場份額分析2. 研發(fā)制造能力分析(1)芯片設(shè)計(jì)(2)顯示器件設(shè)計(jì)與制造(3)光學(xué)設(shè)計(jì)與制造(4)整機(jī)設(shè)計(jì)與制造

三、全球Micro?OLED顯示行業(yè)的競爭壁壘

1. 現(xiàn)有產(chǎn)能與擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃

2. 產(chǎn)品開發(fā)與垂直整合能力

3. 市場拓展與下游合作能力

4. 關(guān)鍵新技術(shù)與專利布局前瞻性

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