模擬開(kāi)關(guān)矩陣工作電壓與開(kāi)關(guān)特性

上午測(cè)量了模擬開(kāi)關(guān)矩陣 CH446Q 的導(dǎo)通電阻。在5V工作電壓下，每個(gè)開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)的電阻大約為 100 歐姆。下面測(cè)試給 VEE 施加負(fù)電壓，查看該電壓對(duì)于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的影響，以及是否允許模擬開(kāi)關(guān)通過(guò)正負(fù)電壓信號(hào)。

▲ 圖1.1 模擬開(kāi)關(guān)矩陣CH446Q

一、測(cè)量結(jié)果

通過(guò) 可編程直流電源給 CH446Q 的 VEE施加負(fù)電壓，從 0V 到 -7V。測(cè)量每個(gè)電壓下 X0,Y0之間的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻。測(cè)量結(jié)果曲線，橫坐標(biāo)為 VEE電壓，極性是負(fù)電壓。只是在坐標(biāo)軸上標(biāo)志成 正電壓?？v坐標(biāo)是開(kāi)關(guān)電阻。當(dāng) VEE 等于 0V時(shí)，對(duì)應(yīng)的電阻大約為 100歐姆。當(dāng)VEE變成 -7V ，也就是 CH446Q 數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的最大電壓。對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)電阻已經(jīng)降低到 50歐姆左右。比數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的 最大 60歐姆還要小。

▲ 圖1.1.1 VEE與X0,Y0之間開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻

二、傳輸信號(hào)

下面測(cè)試模擬開(kāi)關(guān)通過(guò)信號(hào)的特性?，F(xiàn)在工作電壓分別為 +5V 和 -7V。使用信號(hào)源產(chǎn)生 正負(fù) 2.5V 的正弦波，輸入到 CH446Q的 X0管腳。可以看到 X0，Y0 之間的信號(hào)是相同的。這說(shuō)明在正負(fù)工作電壓下，模擬開(kāi)關(guān)允許通過(guò)正負(fù)信號(hào)。下面測(cè)試通過(guò)信號(hào)的幅度范圍。

改變 CH446的 VEE，設(shè)置其為 -1V?？梢钥吹捷斎?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1572723.html">輸出信號(hào)下面被鉗位，信號(hào)被限制在 -1.7V 左右。設(shè)置 VEE 等于 0V，對(duì)應(yīng)的信號(hào)最低值被限制在 -0.7V 左右。這說(shuō)明信號(hào)不能夠超過(guò) VCC, VEE 加減 0.7V。如果超過(guò)了，就會(huì)被限幅。

▲ 圖1.2.1 在VEE為-1V時(shí)，輸入輸出信號(hào)

??將信號(hào)的頻率增加到 25MHz，可以看到輸入輸出信號(hào)之間有了相移，大約落后了27°。這說(shuō)明模擬開(kāi)關(guān)寄生電容引起的相移落后。這是15MHz的方波信號(hào)，模擬開(kāi)關(guān)寄生電容使得輸入輸出信號(hào)的上升沿都變緩了。

※ 總??結(jié) ※

本文測(cè)試了 模擬開(kāi)關(guān)矩陣的工作電壓對(duì)導(dǎo)通電阻以及信號(hào)的影響。輸入輸出信號(hào)應(yīng)該在信號(hào)VCC，VEE 之內(nèi)的電壓范圍，加減0.7V。在+5V, -7V 的工作電源下，每個(gè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻大約為 50歐姆。這個(gè)測(cè)量數(shù)值與其數(shù)據(jù)手冊(cè)相符了。

參考資料

[1]CH446Q 模擬開(kāi)關(guān)矩陣導(dǎo)通功能測(cè)量: https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/134638168

[2]CH446Q 模擬開(kāi)關(guān)矩陣芯片: https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/134624565?csdn_share_tail=%7B%22type%22%3A%22blog%22%2C%22rType%22%3A%22article%22%2C%22rId%22%3A%22134624565%22%2C%22source%22%3A%22zhuoqingjoking97298%22%7D