RK3588 VDD CPU LIT電源PCB設(shè)計

RK3588 VDD_CPU_LIT電源PCB設(shè)計

1、VDD_CPU_LIT覆銅寬度需滿足芯片電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)?，路徑不能?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/492729.html">過孔分割太嚴重，必須計算有效線寬，確認連接到CPU每個電源PIN腳的路徑都足夠。

2、VDD_CPU_LIT的電源在外圍換層時，要盡可能的多打電源過孔（9個以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降；去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會大大降低電容作用。

3、如圖1所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如圖2所示。其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。

4、RK3588芯片VDD_CPU_LIT的電源管腳，每個管腳就近有一個對應(yīng)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如圖3所示，建議走線線寬10mil。

圖1?VDD_CPU_LIT的原理圖電源管腳去耦電容

圖2 電源管腳背面去耦電容放置

圖3 VDD_CPU_LIT電源管腳“井”字形鏈

5、VDD_CPU_LIT電源在CPU 區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號換層過孔請不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅，如圖4所示）。

圖4 VDD_CPU_LIT電源層覆銅情況

6、電源過孔40mil范圍(過孔中心到過孔中心間距)內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧9個。如圖5所示。

圖5 LIT電源地過孔放置圖