CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%85%AC%E5%8F%B8/">半導(dǎo)體公司，開發(fā)并大批量生產(chǎn)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 將首次參展 PCIM Asia，這是中國享譽(yù)行業(yè)的專業(yè)展會(huì)，專注于電力電子技術(shù)及其在智能移動(dòng)、可再生能源和能源管理方面的應(yīng)用。在活動(dòng)期間，CGD 將在中國首推其第二個(gè)易用可靠的 ICeGaN? GaN HEMT 產(chǎn)品系列。此外，CGD 將在展臺(tái)中進(jìn)行完整的產(chǎn)品演示，還將進(jìn)行一場(chǎng)主題演講和兩場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用展示。

Cambridge GaN Devices 首席技術(shù)官 Florin Udrea 教授將于 8 月 29 日（星期二）上午 10:00 發(fā)表開幕主題演講，演講標(biāo)題為：“新一代氮化鎵功率器件；突破易用性和可靠性的極限”。

8 月 29 日（星期二）上午 11:25，CGD 高級(jí)首席應(yīng)用工程師 Martin Cheung 將發(fā)表“降低高性能充電器拓?fù)渲械姆€(wěn)態(tài)損耗”演講；8 月 30 日（星期三）上午 10:55，他還將發(fā)表“調(diào)整 GaN 的開關(guān)性能和改進(jìn)并聯(lián)運(yùn)行表現(xiàn)”演講。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務(wù)官 “CGD 非常重視中國和亞洲市場(chǎng)，我們不斷擴(kuò)大產(chǎn)品組合，并希望向全球市場(chǎng)推出創(chuàng)新、易用、堅(jiān)固且可靠的新型 GaN 解決方案。PCIM Asia 將見證 CGD H2 系列 ICeGaN? HEMT 解決方案在中國的初次亮相。這是我們第一次參與這一亞洲領(lǐng)先的電力盛會(huì)，我們非常高興將與現(xiàn)有客戶和潛在新客戶深入交流，了解其應(yīng)用需求，以便提供更能滿足其要求的解決方案。”