Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性

器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。

日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結(jié)構(gòu)，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），相比上一代解決方案降低17%。

與接近的競(jìng)品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同，第三代器件幾乎沒(méi)有恢復(fù)拖尾，從而能夠進(jìn)一步提升效率。

與擊穿電壓相當(dāng)?shù)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1532305.html">硅二極管相比，SiC二極管熱導(dǎo)率高，反向電流低，反向恢復(fù)時(shí)間短。二極管反向恢復(fù)時(shí)間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 C高溫下工作，不會(huì)因開(kāi)關(guān)損耗造成能效變化。

器件典型應(yīng)用包括發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器中的AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，通過(guò)2000小時(shí)高溫反偏（HTRB）測(cè)試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測(cè)試，測(cè)試時(shí)間和循環(huán)次數(shù)是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。

新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為八周。