[摘要]CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)（或“待機(jī)”）電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱(chēng)為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)量VDD電源電流。測(cè)試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時(shí)間導(dǎo)致IC失效的其它缺陷。同樣地，帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測(cè)量。這些產(chǎn)品類(lèi)型包括便攜式電池供電的消費(fèi)性電子產(chǎn)品，以及可植入的醫(yī)療設(shè)備，例如心臟起搏器和除顫器。這些測(cè)試的目標(biāo)是在給定電池充電

[摘要]隨著面市時(shí)間和測(cè)試成本的壓力增大，需要繼續(xù)仔細(xì)檢查工具利用率和測(cè)試工程師的生產(chǎn)率。提高自動(dòng)化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動(dòng)探測(cè)器的單管芯測(cè)試到半自動(dòng)探測(cè)器的單晶圓測(cè)試的這一過(guò)程自然會(huì)通向自動(dòng)探測(cè)器的全晶匣檢測(cè)。在過(guò)去，使用精密、靈活的實(shí)驗(yàn)室工具但不購(gòu)買(mǎi)BEOL生產(chǎn)測(cè)試儀的條件下執(zhí)行此類(lèi)測(cè)試非常困難。這類(lèi)測(cè)試通常包含大量定制代碼和專(zhuān)用測(cè)試臺(tái)并且需要訓(xùn)練有素的工程師運(yùn)行設(shè)備。吉時(shí)利有這種方案。通過(guò)結(jié)合吉時(shí)利的自動(dòng)特性分析套件（ACS）軟件和4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)，您將獲得兩者的優(yōu)點(diǎn)——實(shí)驗(yàn)