資源大?。?.86MB
[摘要]
大多數(shù) IC 制造商使用 CMP 建模來檢測潛在弱點(diǎn),作為其 DFM 流程的一部分。然而,為 FCVD 和 eHARP CMP 工藝構(gòu)建基于物理特性的模型或簡化模型實際上很困難,因為這些工藝包含若干沉積和退火步驟以填充溝槽。實驗表明,