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使用機器學(xué)習(xí)對 ECD 進行建模以改進 CMP 仿真
[摘要]

化學(xué)機械平面化 / 拋光 (CMP) 是在半導(dǎo)體芯片和電子器件的多級互連制造過程中使用的一項關(guān)鍵技術(shù)1,2。芯片制造中使用的許多工藝步驟都要求晶圓具有平整（光滑）表面，以確保在生成下一層結(jié)構(gòu)的光刻過程中曝光出正確的圖形。CMP 作為一項實現(xiàn)表面平坦的關(guān)鍵工藝，用來滿足精確焦深 (DOF) 和光刻要求，并進一步精確支持后續(xù)構(gòu)建多級互連導(dǎo)線、高 k 替代金屬柵極晶體管、3D 堆疊芯片、3D NAND 存儲單元等的蝕刻步驟。

 
資源類型：pdf
資源大小：1.35MB
所屬分類：白皮書
Siemens Digital Industries Software簡介
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件致力于推動數(shù)字化企業(yè)轉(zhuǎn)型，實現(xiàn)滿足未來需求的工程、制造和電子設(shè)計。西門子的Xcelerator 解決方案組合可幫助各類規(guī)模的企業(yè)創(chuàng)建并充分利用數(shù)字雙胞胎，為機構(gòu)帶來全新的洞察、機遇和自動化水平，促進創(chuàng)新。

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