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大多數(shù) IC 制造商使用 CMP 建模來檢測潛在弱點,作為其 DFM 流程的一部分。然而,為 FCVD 和 eHARP CMP 工藝構(gòu)建基于物理特性的模型或簡化模型實際上很困難,因為這些工藝包含若干沉積和退火步驟以填充溝槽。實驗表明,利用機器學習和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對這些及其他 CMP 工藝進行氧化物沉積輪廓建模是該技術(shù)的一個很有前景且令人激動的應(yīng)用
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