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[摘要] 電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件

圓片級(jí)1/f噪聲的一種新測(cè)量方法

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[摘要] 本文提出了一種新的可靠的圓片級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法和架構(gòu)。所提出的測(cè)試架構(gòu)采用了吉時(shí)利的系列儀器，包括4200-SCS、428和一個(gè)低通濾波器。其中采用了吉時(shí)利的自動(dòng)特征分析套件（ACS）軟件來(lái)控制測(cè)量?jī)x器的操作，采集/分析測(cè)得的數(shù)據(jù)。由于所

相變存儲(chǔ)器：基本原理與測(cè)量技術(shù)

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[摘要] 相變存儲(chǔ)器（可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM）是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文將為您介紹相變存儲(chǔ)器的基本

生產(chǎn)環(huán)境下高亮度LED的高精度高性價(jià)比測(cè)試

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[摘要] LED測(cè)試在生產(chǎn)的不同階段具有不同類型的測(cè)試序列，例如設(shè)計(jì)研發(fā)階段的測(cè)試、生產(chǎn)過(guò)程中的晶圓級(jí)測(cè)試、以及封裝后的最終測(cè)試。盡管LED的測(cè)試一般包含電氣和光學(xué)測(cè)量，本文著重探討電氣特征分析，只在適當(dāng)?shù)奈恢媒榻B部分光學(xué)測(cè)量技術(shù)。圖1給出了典型二極

確保更精確的高電阻測(cè)量

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[摘要] 高電阻測(cè)量已成為多種測(cè)試應(yīng)用的組成部分，包括印制電路板的表面電阻（SIR）測(cè)試、絕緣材料和半導(dǎo)體的電阻率測(cè)量、高歐姆值電阻的電壓系數(shù)測(cè)試等。確保高電阻測(cè)量（即高于1GΩ [10P9P歐姆]的電阻）的精度需要使用大量的特殊技術(shù)和儀器，例如靜電

6487型皮安表/電壓源

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[摘要] 5位半6487皮安表/電壓源提高了備受贊譽(yù)6485的測(cè)量能力，并增加了500V的高分辨率源。它具有比6485更高的準(zhǔn)確度和更快的上升時(shí)間，以及配合容性元件使用的阻尼功能。這款經(jīng)濟(jì)有效的儀器具有8個(gè)電流測(cè)量量程和高速自動(dòng)量程功能，可以測(cè)量20

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