用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ測試和待機(jī)電流測試
資源大小:1.3MB
[摘要] CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測量過程被稱為IDDQ測試。此測試要求在IC處于靜態(tài)條件下測量VDD電源電流
基于高吞吐率WLR測試的ACS集成測試系統(tǒng)
資源大小:3.03MB
[摘要] 隨著器件繼續(xù)小型化,半導(dǎo)體器件可靠性測試以及器件壽命預(yù)測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復(fù)雜性增大,器件失效的隨機(jī)性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計(jì)樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應(yīng)力-開關(guān)-測量可靠性測試技術(shù)能實(shí)現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試,但這種方法可
基于實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化的ACS集成測試系統(tǒng)
資源大?。?.89MB
[摘要] 隨著面市時(shí)間和測試成本的壓力增大,需要繼續(xù)仔細(xì)檢查工具利用率和測試工程師的生產(chǎn)率。提高自動(dòng)化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動(dòng)探測器的單管芯測試到半自動(dòng)探測器的單晶圓測試的這一過程自然會通向自動(dòng)探測器的全晶匣檢測。在過去,使用精密、靈活
用于多站點(diǎn)并行測試的ACS集成測試系統(tǒng)
資源大?。?.09MB
[摘要] 測試成本被視為未來先進(jìn)半導(dǎo)體的首要挑戰(zhàn)。對測試成本和測試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應(yīng)用,并行測試都最大程度改善了晶圓上測試的吞吐量公式。這是因?yàn)榇蟛糠珠_銷用在了移動(dòng)探針或者將探針重新定位至下一個(gè)測試站點(diǎn)。開銷包括了
面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測量
資源大小:573.66KB
[摘要] 在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不
用2602型數(shù)字源表對激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐量直流生產(chǎn)測試
資源大小:363.26KB
[摘要] 激光二極管(LD)和垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是光通信、光譜學(xué)和許多其它應(yīng)用中的主要組成元件。隨著這些應(yīng)用需求日益增多,對基本元件的需求也在增長。這要求更注重開發(fā)準(zhǔn)確、經(jīng)濟(jì)有效的生產(chǎn)測試策略。
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