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CM能否成為下一代存儲技術標準？

CM能否成為下一代存儲技術標準

PCM能否成為下一代存儲技術標準？

“下一代存儲器技術既不是MRAM(磁阻式隨機存儲器)，也不是FeRAM(鐵電隨機存儲器)，而是目前還正處于研發(fā)階段的PCM(相變存儲器)”，華中科技大學電子工程系教授繆向水在今年的IIC-China 2009武漢站信心滿滿的分析過。而在今年年初恩智浦首席技術執(zhí)行官也在一場技術研討會上高調(diào)表示：PCM非常具有發(fā)展前景，公司將持續(xù)關注該技術。除此之外，瑞薩與日立、英特爾和三星電子等半導體廠商在PCM技術方面也是虎視眈眈，磨刀相向。

那么，究竟在經(jīng)歷了2008~2009年度嚴重經(jīng)濟衰退影響之后，什么技術將引領存儲行業(yè)再度起飛呢？DRAM、閃存抑或是本專題中介紹到的PCM技術？……

應用筆記
恒憶高工：非易失性半導體存儲器的相變機制
目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器（PCM）就是其中最被業(yè)界看好的非易失性存儲器，具有閃存無法匹敵的讀寫性能和升級能力，具體技術細節(jié)見本文...[查看全文]
相變存儲器驅(qū)動電路的設計與實現(xiàn)
本文介紹了一種新型的、結構簡單的相變存儲器驅(qū)動電路設計, 該電路采用電流驅(qū)動方式, 主要包括基準電壓電路、偏置電流電路、電流鏡電路及控制電路...[查看全文]
相變存儲器的高可靠性多值存儲設計
基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結構，提出一種以比值為導向的狀態(tài)定義方法，以實現(xiàn)2T2R 結構下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下，可以實現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲，同時對小尺寸驗證....[查看全文]

四方雜談
那些存儲技術適用于更低工藝節(jié)點？
在關機之后，許多應用的存檔數(shù)據(jù)或系統(tǒng)信息不能丟失。這些任務就落在可在線寫入(至少一次，通常許多次)的非易失性(NV)存儲器身上...[查看全文]
鮮為人知的閃存特性保護數(shù)據(jù)和知識產(chǎn)權
你設計一個系統(tǒng)，卻被人給搞壞了。當然，損壞有時不是故意的。一個服務提供商在你的設備上安裝軟件，可能會損壞原來的代碼。雖然不是故意的，但不能說不是一個問題...[查看全文]
恒憶高管PCM技術問答錄
PCM是一個非常新的產(chǎn)品，在我們推出以后，我們也希望能夠把它標準化，因為這個市場并不是恒憶一家完全壟斷的，我們希望更多的廠商能夠加入到共同研發(fā)和推動PCM市場的陣營之中...[查看全文]
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