LMG3410系列GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開(kāi)關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?

LMG3410系列通過(guò)集成一系列獨(dú)一無(wú)二的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開(kāi)關(guān)（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過(guò)熱關(guān)斷可防止熱逃逸，而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。