三分鐘快速了解視頻
產(chǎn)品介紹
Infineon Technologies CoolGaN?氮化鎵HEMT
制造商：Infineon Technologies
Infineon CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù)，設(shè)計用于實現(xiàn)開關(guān)模式電源中的超高效率和功率密度。這些器件的工作方式類似于采用p-GaN柵極結(jié)構(gòu)以及增強模式柵極驅(qū)動偏置的傳統(tǒng)硅MOSFET。
Infineon CoolGaN質(zhì)量出眾，非常適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)。CoolGaN支持針對PFC來調(diào)整更簡單的半橋拓撲，包括消除有損輸入橋式整流器。CoolGaN HEMT可為功率半導(dǎo)體器件提供更高的臨界電場，從而實現(xiàn)出色的高速開關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
| 產(chǎn)品屬性 | 屬性值 | 產(chǎn)品屬性 | 屬性值 |
|---|---|---|---|
| 制造商 | Infineon | 配置 | Single |
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | 通道模式 | Enhancement |
| 技術(shù) | GaN | 商標(biāo)名 | CoolGaN |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT | 封裝 | Cut Tape |
| 封裝 / 箱體 | PG-LSON-8 | 封裝 | Reel |
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | 晶體管類型 | 1 N-Channel |
| 晶體管極性 | N-Channel | 商標(biāo) | Infineon Technologies |
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 600 V | 下降時間 | 13 ns |
| Id-連續(xù)漏極電流 | 15 A | HTS Code | 8541290095 |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 70 mOhms | 產(chǎn)品類型 | MOSFET |
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 0.9 V | 上升時間 | 9 ns |
| Vgs - 柵極-源極電壓 | 10 V | 工廠包裝數(shù)量 | 3000 |
| Qg-柵極電荷 | 5.8 nC | 子類別 | MOSFETs |
| 最小工作溫度 | - 55 C | 典型關(guān)閉延遲時間 | 15 ns |
| 最大工作溫度 | + 150 C | 典型接通延遲時間 | 15 ns |
| Pd-功率耗散 | 114 W | 零件號別名 | SP001705420 |
產(chǎn)品特性
600V功率器件的品質(zhì)因數(shù)
非常適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲
功率密度可提高三倍
經(jīng)過優(yōu)化的開啟和關(guān)閉模式
面向創(chuàng)新解決方案和大容量的技術(shù)
SMPS的超高效率
表面貼裝封裝可確保完全訪問GaN的開關(guān)能力
各種驅(qū)動器IC產(chǎn)品組合，簡單易用
系統(tǒng)框圖
